Samsung Electronics приблизилась к созданию 1000-слойной памяти V-NAND. Компания разработала и уже выпустила первый 900-слойный прототип, это должно усилить позиции южнокорейского гиганта в борьбе с конкурентами. Samsung считается одним из пионеров рынка микросхем памяти. Её технология V-NAND давно занимает лидирующие позиции в отрасли, а в 2024 году производитель объявил о планах выпустить 1000-слойную NAND-память с использованием новых «ферроэлектрических» материалов.
Как сообщает издание ETNews, Samsung удалось создать первую 900-слойную V-NAND-память с применением технологии CMB (Cell Multi-Bonding). Этот метод предполагает объединение двух стеков по 450 слоёв в одном устройстве. Переход на такую компоновку позволит компании значительно увеличить ёмкость решений для хранения данных, включая SSD-накопители, которые используются практически во всех сегментах вычислительной техники — от серверов и корпоративных систем до настольных ПК, ноутбуков, смартфонов и прочей электроники.
Для создания 900-слойной микросхемы памяти V-NAND Samsung пришлось решить несколько серьёзных технических проблем. Одной из главных стала деформация пластин, возникающая при высокой плотности слоёв. Эту проблему удалось решить с помощью новой конструкции Upper Chuck Design. Кроме того, компания внедрила технологии Overlay Correction («коррекции наложения») для исправления ошибок совмещения слоёв.
На сегодняшний день лидером в отрасли является SK Hynix, которая первой разработала и вывела на рынок 321-слойную NAND-память. Сейчас компания работает над 400-слойной микросхемой NAND. Samsung для этого использует технологию Vertical Bonding, тогда как SK Hynix делает ставку на Hybrid Bonding. Тем временем китайская YMTC также активно ускоряет развитие собственных решений в сегменте NAND-памяти. Компания уже выпускает 294-слойные и 232-слойные чипы, постепенно сокращая отставание от Samsung, SK Hynix и Micron. Кроме того, YMTC активно инвестирует в строительство новых заводов, что позволит компании удвоить текущие объёмы выпуска пластин. Это особенно важно на фоне растущего дефицита памяти, вызванного стремительным ростом индустрии искусственного интеллекта.
Подход со стековой архитектурой NAND для достижения уровня свыше 900 слоёв пока находится на стадии прототипа, однако он открывает путь к дальнейшему увеличению плотности памяти в будущем. В отрасли считают, что это не просто трёхкратное увеличение, это технология, которая меняет парадигму процесса многослойной сборки. Выпуск 1000-слойной памяти Samsung V-NAND предварительно запланирован на 2030 год, тогда как решения с 400 слоями и больше должны появиться в ближайшие годы.
