Компания Samsung объявила о начале массового производства чипов, построенных на втором поколении технологического процесса 10 нм FinFET LPP (Low Power Plus). Это обновление использующейся в настоящее время технологии производства микросхем 10 нм FinFET LPE (Low Power Early), предлагающее на 10% повышенную производительность и на 15% более низкое энергопотребление.
Первые партии новых процессоров будут готовы уже в начале наступающего 2018 года, когда южнокорейский технологический гигант также приступит к их тестированию. Доступность чипов на базе техпроцесса 10 нм FinFET второго поколения ожидается к концу следующего года. Первоначально их выпуском, вероятнее всего, займется сама Samsung в рамках собственной линейки Exynos, поскольку Snapdragon 845 для Qualcomm будет производить уже TSMC. Возможно, американский чипмейкер использует производственные мощности Samsung для таких моделей, как Snapdragon 670.
Производственная линия Samsung S3 в Хвасоне, Корея
Samsung планирует постепенно совершенствовать фирменный техпроцесс. Следующим шагом в развитии FinFET станут 8 нм LPP, после чего будет осуществлен переход на 7 нм EUV — последние технологии позволяют постоянно проектировать новые чипы без необходимости капитальной переработки. К наращиванию производства компания также готова: новейшая третья фабрика S3 открылась в Хвасоне (Корея).
