Компания Samsung, согласно информации сразу нескольких источников, готовится запустить в производство накопители Z-SSD на основе новой флеш-памяти Z-NAND. Об этом сообщает ресурс Business Korea.
Впервые о том, что корейский производитель разработал новую память Z-NAND стало известно в августе прошлого года. Тогда же компания сообщила, что работает над твердотельными накопителями Z-SSD на основе этой памяти, один из которых был представлен в марте этого года. Устройство SZ-985 с интерфейсом PCIe и емкостью 1 ТБ (800 ГБ) обладало скоростью обмена данными 3,2 ГБ/с. Его производительность составляла 750 000 IOPS в режиме чтения и 160 000 IOPS в режиме записи.
На текущий момент, память и накопители данного типа находятся на этапе тщательного тестирования, но в компании уже обсуждают вопросы с поставками со своими партнерами. Массовое производство может быть запущено в следующем году. Память Z-NAND относится к типу SLC и построена на одноуровневой ячейке, а значит может хранить только один бит данных в каждой ячейке. Накопители Z-SSD на этой памяти обладают скоростью чтения примерно в семь раз больше, чем стандартные SSD.
Таким образом, Samsung готовит следующее поколение твердотельных накопителей, способных конкурировать с накопителями на базе памяти 3D XPoint совместного производства Intel и Micron.
