Компания Samsung является одним из лидеров в области полупроводниковых технологий (второй производитель чипов в мире). Именно Samsung помогла Qualcomm в освоении 10 нм для процессора Snapdragon 835, который сейчас установлен во все актуальные флагманы 2017 года. Теперь, чтобы показать свою полную независимость, южнокорейский производитель решил покорить новые вершины. Представлена дорожная карта, с помощью которой Samsung намерена освоить рекордные в отрасли 4 нм.
Кинэм Ким (Kinam Kim), президент подразделения Samsung по полупроводниковому производству, представляет новейшие техпроцессы компании, Samsung Foundry Forum 2017
В рамках ежегодного форума Samsung Foundry Forum 2017 компания Samsung представила новейшие технологические процессы — 8, 7 и 4 нм, а также 18 нм нового типа FD-SOI для сферы интернета вещей (Internet of Things). Как заявляет технологический гигант, техпроцесс 8 нм типа Low Power Plus (LPP) обеспечит дополнительные преимущества в области производительности и ключевые нововведения до перехода на технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии (Extreme Ultra Violet). Освоить его Samsung планирует уже в текущем году. Переход на 7 нм запланирован к 2018 году. Данный техпроцесс разрабатывается Samsung совместно с компанией ASML и станет первым с использованием EUV. Также он нарушит закон Мура, гласящий, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 24 месяца. Впоследствии эта инновация откроет дорогу для 6LPP, 5LPP и 4LPP.
Наиболее интересным является освоение компанией рекордного техпроцесса 4LPP, где транзисторы находятся между собой на расстоянии всего 4 нанометров. Он впервые реализует архитектуру устройств следующего поколения — MBCFET (Multi Bridge Channel FET). MBCFET является уникальной технологией Samsung GAAFET (Gate All Around FET), в которой будут применены кремниевые нанолисты. Это позволит Samsung преодолеть вычислительные и производительные ограничения существующей архитектуры FinFET. Переход на 4-нм техпроцесс запланирован на 2020 год.
Также компания Samsung объявила о своем намерении разработать 18-нм техпроцесс под названием FD-SOI для устройств категории интернета вещей (IoT). Он предложит улучшенную энергоэффективность, уменьшенную площадь потребления и более высокий уровень производительности. Это будет значительный шаг вперед по сравнению с текущим 28-нм техпроцессом FDS. Выпуск технологии намечен на 2019 год.
«Повсеместное распространение интеллектуальных машин и умной бытовой техники сигнализирует о начале следующей промышленной революции», — сказал Чжон Сик Юн (Jong Shik Yoon), исполнительный вице-президент подразделения Samsung по полупроводниковому производству.
