Компания Toshiba Memory совместно с Western Digital создала прототип флэш-памяти 3D NAND рекордной плотности — 1,33 Тбит. 96-слойные чипы BiCS FLASH могут хранить в каждой ячейке четыре бита (QLC). Для сравнения в большинстве современных SSD используются 32-слойные микросхемы, в продвинутых — 64-слойные. Таким образом Toshiba в очередной раз доказывает свое технологическое лидерство на рынке хранения данных.
Модуль памяти BiCS FLASH из 16 кристаллов имеет рекордную ёмкость 2,66 ТБ. Это открывает новые возможности для быстрых карт памяти и твердотельных накопителей с более высокой плотностью. Toshiba планирует показать свою разработку на мероприятии Flash Memory Summit 2018 в Санта-Кларе (Калифорния) в начале августа.
Ожидается, что в сентябре этого года поставщики SSD и контроллеров для SSD получат образцы микросхем памяти BiCS FLASH. Массовое производство начнётся в 2019 году. Тогда же и появятся на рынке первые устройства с этой памятью.
Western Digital уже заявила, что в конце этого года начнёт поставки потребительских продуктов под брендом SanDisk с новыми чипами памяти. У полупроводникового гиганта всё ещё есть контракт с Toshiba Memory, несмотря на то, что последнюю приобрел консорциум Bain Capital, куда входят Apple, Dell, Seagate и Kingston.
