Компания Samsung запустила в массовое производство чипы памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нм технологическому процессу второго поколения. Новые чипы памяти имеют самые маленькие размеры, а также наивысшие показатели производительности и энергоэффективности.
В сравнении с аналогичной памятью DDR4, созданной по технологии первого поколения 10-нм техпроцесса, эти чипы на 10% производительнее и на 15% энергоэффективнее. Говоря более конкретно, их пропускная способность на один контакт равна 3600 Мбит/с. У чипов памяти предыдущего поколения этот показатель составлял 3200 Мбит/с.
В Samsung отмечают, что это стало возможным, благодаря новым решениям, в частности технологии проприетарного проектирования схем. Помимо этого, инженеры использовали так называемые «воздушные прослойки» для уменьшения паразитной ёмкости памяти.
Все эти новшества позволят Samsung ускорить выпуск памяти следующего поколения, включая DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6, которые найдут применение в серверном оборудовании, суперкомпьютерах и системах, использующих высокопроизводительные вычисления и конечно в графических адаптерах и мобильных устройствах.
