Компания Samsung, являющаяся одним из ведущих поставщиков оперативной памяти, намерена возглавить разработку нового стандарта DDR5. Недавно южнокорейский производитель опубликовал на YouTube видео, где рассказывается о технологии Samsung, используемой в модулях DDR5-7200, а теперь компания официально представила первый в мире модуль памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ.
В новых модулях используется усовершенствованная технология многослойной компоновки. Такую же можно наблюдать и последних модулях памяти DDR4, но разница в том, что в DDR4 четырёхслойный стэк кристаллов, объединённых с помощью технологии 3D TSV (Through Silicon Via), а в DDR5 — восьмислойный. Благодаря новому способу наложения слоёв Samsung удалось уменьшить расстояние между ними и сделать кристаллы на 40% тоньше. Высота готовой микросхемы составляет всего 1 мм против 1,2 мм у DDR4, а заявленная скорость чтения достигает 6400 Мбит/с, что в два раза быстрее предыдущего поколения.
Увеличение производительности не повлияло на эффективность энергопотребления. Технология, используемая в памяти DDR5, способствует потреблению на 30% меньше энергии благодаря более низкому напряжению — 1,1 В вместо 1,2 В. Ещё одной особенностью является технология Same Bank Refresh, которая позволяет разделить операции, выполняемые ячейками памяти. Кроме того, производительность шины памяти была увеличена на 10%.
Samsung планирует поставлять оперативную память DDR5 для центров обработки данных, а также для смартфонов и ноутбуков. Правда, потребительские модули DDR5, вероятнее всего, будут иметь до 64 ГБ на модуле. Производство 512-гигабайтных планок начнётся в конце текущего года.
