Компания Hewlett-Packard в последнее время занималась разработкой мемристоров — пассивных элементов, которые могут изменять своё сопротивление в зависимости от протекавшего через них заряда. Компания SanDisk занимается разработкой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Оба проекта имеют сходство: и в мемристорах, и в RRAM используются материалы, изменяющие своё электрическое сопротивление в присутствии тока. Поэтому HP и SanDisk решили объединиться, чтобы вместе разработать новый тип энергонезависимой памяти, который станет в тысячу раз быстрее и устойчивее к износу, чем современные флеш-накопители.
Компания Hewlett-Packard займётся разработкой, а SanDisk — производством чипов. Представители обеих компаний объявили о том, что они не намерены лицензировать новую технологию другим производителям. На рынке же новый тип энергонезависимой памяти может появится уже через 3-5 лет.
Подобные разработки ведутся и другими компаниями. Например, американская компания Crossbar также занимается вопросом создания RRAM-памяти. Intel и Micron летом анонсировали собственный класс энергонезависимой памяти 3D Xpoint. Данная технология гораздо быстрее и долговечнее распространённой сегодня флеш-памяти NAND.
