Группа исследователей из Университета Миннесоты (США) открыла новый наноразмерный тонкопленочный материал с самой высокой проводимостью в своем классе. Этот полупроводник позволит создавать более быструю и компактную электронику. Он также пригодится в изготовлении фотоэлементов — приборов для превращения солнечной энергии в электрическую.
Ученые утверждают, что их открытие уникально прежде всего высокой проводимостью. Помимо этого, материал имеет широкую запрещенную зону — он оптически прозрачен (лучи света легко проходят через полупроводник).
«Высокая проводимость и широкая запрещенная зона делают этот материал идеальным для изготовления оптически прозрачных проводящих пленок, которые могут быть использованы в самых разнообразных электронных устройствах: электронике высокой мощности, электронных дисплеях, сенсорных экранах и даже в фотоэлементах, в которых свет должен проходить через устройство», — сказал Бхарат Джалан (Bharat Jalan), профессор химической инженерии и материаловедения Университета Миннесоты.
На сегодняшний день большинство прозрачных полупроводников используют индий. В последнее время цена на него сильно возросла, в результате чего были предприняты большие усилия найти ему альтернативу. Американские ученые создали новый материал, используя станнат бария (комбинацию бария, олова и кислорода).
