В России завершён третий этап разработки фотолитографической установки для производства интегральных схем с проектными нормами 130 нм. Оборудование создал «Зеленоградский нанотехнологический центр» в кооперации с белорусской компанией «Планар». Акт сдачи-приёмки работ подписали 7 августа 2026 года.
Установка предназначена для переноса топологического рисунка на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм. При производстве чипов она также позволяет многократно воспроизводить изображение на одной пластине. На этом этапе были изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, фотошаблоны и тестовые структуры. Кроме того, разработчики отработали базовые технологические процессы и создали стенд для проверки характеристик объективов.
Изначально третий этап планировали завершить в марте 2026 года, однако работы закончили только в августе. При этом российско-белорусская разработка должна использовать отечественные материалы и собственный источник излучения. Аналогичного оборудования российского или белорусского производства пока нет. В документации в качестве зарубежных аналогов указаны Nikon, Canon и ASML.
Ключевым элементом установки стал эксимерный лазер с длиной волны 193 нм. Такие источники используются в DUV-литографии при производстве микросхем с нормами 130 нм и меньше. Разработка ЗНТЦ должна обеспечить необходимое разрешение без использования зарубежного оборудования.
