SK Hynix разрабатывает новую HBS-память для смартфонов и планшетов
Сегодня, 10 ноября, информационное издание ETNews со ссылкой на свои источники в индустрии сообщило, что компания SK Hynix разрабатывает новейшую память с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Storage или HBS), которая будет использоваться в будущих смартфонах и планшетах для повышения производительности работы искусственного интеллекта в локальном формате. По данным издания, ключевое отличие данной памяти от уже существующих решений на рынке в сочетании энергоэффективных чипов DRAM и NAND, которые будут связаны между собой посредством совершенно новой технологии.
Исходя из предоставленной ETNews информации, новейшая разработка предоставляет производителю возможность объединить до 16 элементов DRAM и NAND, «связывая» каждый из модулей памяти посредством технологии вертикального разветвления (Vertical Fan Out или VFO) для повышения скорости обмена данными. Стоит напомнить, что впервые технологию упаковки VFO компания представила ещё в 2023 году — её преимущество в соединении модулей памяти по прямой линии вместо традиционного изогнутого соединения, что сокращает расстояние между контактами, снижая потери и задержки при передаче сигнала.
Более того, вертикальный формат соединения позволяет производителю задействовать гораздо больше входных и выходных соединений, чем в случае со стандартной технологией упаковки, что повышает общую производительность памяти в процессе обработки информации. Также специалисты отмечают, что у HBS-памяти есть ещё одно существенное преимущество, которое в будущем может сыграть ключевую роль. Дело в том, что, в отличие от HBM-памяти (High Bandwidth Memory на базе DRAM), при производстве High Bandwidth Storage не требуется использование Through Silicon Via — технологии вертикального электрического соединения в кремнии.
Данная особенность обеспечивает более высокий процент выхода годных изделий и заметно снижает производственные затраты, что в условиях дефицита чипов DRAM и памяти в целом является существенным преимуществом. И да, к сожалению, так как разработка новой HBS-памяти только стартовала, никаких конкретных данных относительно прироста скорости передачи данных или повышения энергоэффективности на текущий момент нет. Но, учитывая популярность ИИ и стремление брендов запускать алгоритмы локально на смартфонах, у HBS-памяти явно есть шансы на успех в обозримом будущем.
