Команда российских учёных создала технологическую платформу для интеграции мемристорных устройств в производственный процесс по выпуску отечественных кремниевых чипов. В пресс-службе Национального центра физики и математики (НЦФМ) сообщили, что это открывает перспективы производства мемристорной памяти RRAM.
«Учёные разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства в России прототипа чипа перспективной энгергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ», — говорится в заявлении.
Мемристорная память представляет собой некий тандем, объединяющий достоинства оперативной и флэш-памяти. Она энергонезависима, а переключение мемристора (из закрытого в открытое состояние), то есть перезапись информации, происходит за 30–40 наносекунд. Это примерно в 1000 раз быстрее, чем у современной флеш-памяти.
Подход, разработанный российскими учёными, позволяет использовать верхние слои металлизации в классических кремниевых микрочипах для размещения в них мемристоров — это специальные резисторы с эффектом памяти. Особенностью элементов является величина электрического сопротивления, которая зависит оттого, насколько долго через него проходил электрический ток.
Именно данная особенность позволяет учёным использовать мемристы для создания искусственных аналогов нервных окончаний. Также их можно задействовать для производства очень быстрой, но в тоже время очень энергоэффективной, памяти. По мнению авторов разработки, она поможет в обозримом будущем наладить в стране выпуск подобных запоминающих устройств.
