Samsung запустила производство памяти V-NAND 8-го поколения: для SSD на PCIe 5.0 со скоростью 12,4 ГБ/сек
Сегодня сотрудники компании Samsung официально объявили о старте массового производства новой 236-слойной памяти 3D NAND, которую сам производитель называет V-NAND 8-го поколения. Основное преимущество данной памяти, конечно, в скорости передачи данных — благодаря новому поколению микросхем память предоставляет скорость в 2400 МТ/сек, что в сочетании с более современным контроллером, способным обрабатывать внушительный поток информации, новые твердотельные накопители на V-NAND 8-го поколения позволят работать с контентом на скорости в 12,4 ГБ/сек (и даже выше), что почти в два раза быстрее того, что сейчас предложено на рынке пользовательских SSD.
Также хотелось бы отметить, что память V-NAND 8-го поколения (по словам Samsung) имеет самую высокую плотность битов в отрасли — речь идёт об 1 Тбите (128 ГБ) на чип. Соответственно, твердотельные накопители, которые будут работать по интерфейсу PCIe 5.0, должны получить внушительный объём памяти при удвоенной (в сравнении с текущими показателями PCIe 4.0) скоростью чтения и записи. Пока что, к сожалению, всё это представлено исключительно «на бумаге», так как никаких реальных тестов компания не представила, да и серийных продуктов на новой памяти, естественно, пока что нет.
Для Samsung новая память имеет стратегическое значение, так что, вероятно, решение появится в продаже в самое ближайшее время. Дело в том, что представители заявили о высокой производительности при производстве чипов с одной пластины — этот параметр на 20% выше текущего поколения памяти той же ёмкости. Это значит, что с одной кремниевой пластины компания получает на 20% больше чипов памяти, а это, естественно, для производителя означает существенное снижение затрат. Так что либо Samsung будет получать на 20% больше прибыли с того же объёма выпущенных чипов памяти, либо твердотельные накопители того же объёма станут дешевле. Впрочем, в последнее верится с огромным трудом, так что этого ожидать точно не стоит.
К сожалению, в Samsung пока что не спешат раскрывать детали архитектуры, на которой построена память нового поколения. Специалисты отмечают, что это, вероятно, двухплоскостная 3D NAND IC, но до официальных пресс-релизов говорить о деталях проблематично. И, конечно, у производителя сейчас нет даже приблизительной линейки потребительских накопителей на новой памяти. С этим Samsung точно спешить не будет, так как интерфейс PCIe 5.0 не так распространён, чтобы завтра выгружать на полки магазинов новые твердотельные накопители.
