В 2014 году Samsung Electronics первой в отрасли начала массовое производство 8-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR4 для мобильных устройств. Теперь компания готовит новый прорыв — 8-гигабитные LPDDR5 DRAM-модули, оптимизированные для сетей 5G и систем искусственного интеллекта.
Новая память в 1,5 раза быстрее той, что используется в последних флагманских смартфонах. LPDDR5 DRAM предлагает скорость передачи данных до 6400 Мбит/с, тогда как LPDDR4X DRAM — 4266 Мбит/с. Пропускная способность составляет 51,2 ГБ в секунду. Это примерно 14 видеофайлов в формате FullHD.
В компании отмечают, что такая производительность была достигнута благодаря различным архитектурным изменениям. Инженеры Samsung удвоили количество банков памяти в каждой ячейке с 8 до 16, тем самым увеличив скорость и улучшив энергоэффективность. В LPDDR5 DRAM также используется усовершенствованная и оптимизированная по скорости схема, которая проверяет и гарантирует сверхвысокую производительность чипа.
Для экономии энергии, модуль памяти синхронизирует свою работу с процессором, поэтому снижает напряжение, когда это необходимо. Кроме того, чипы имеют режим глубокого сна, что гораздо эффективнее, чем режим ожидания в LPDDR4X. Всё это позволяет оперативной памяти потреблять энергию на 30% меньше, а смартфонам, соответственно, работать дольше.
10-нанометровые модули LPDDR5 DRAM будут доступны в двух модификациях: 6400 Мбит/с с рабочим напряжением 1,1 В и 5500 Мбит/с с рабочим напряжением 1,05 В. На текущий момент Samsung Electronics уже завершила тестирование первых образцов новой памяти и готова в ближайшее время приступить к её производству.
