Более 50 лет назад сооснователь корпорации Intel Гордон Мур выдвинул гипотезу о том, что количество транзисторов в кристаллах микросхем удваивается каждые 24 месяца. Другими словами, производительность устройств должна пропорционально увеличиваться, а их стоимость оставаться на прежнем уровне. У так называемого «закона Мура» с самого начала появились противники, которые полагали, что в конечном итоге всему есть предел. Однако, как показывает практика, закон Мура все еще актуален, и компания IBM в очередной раз это доказала.
IBM совместно со своими партнерами Samsung и GlobalFoundries разработали технологический процесс, который даст старт появлению 5-нанометровых микросхем. Разработчики использовали ту же технику фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (EUV), что и для 7-нанометровых чипов, но, благодаря ее усовершенствованию, смогли разместить 30 млрд транзисторов в микросхеме размером с ноготь. Вместо стандартной архитектуры FinFET, в новой технологии применяется техника наложения кремниевых нанолистов, при которой сигнал подается на четыре затвора.
По сравнению с нынешними 10-нм чипами, прототипы 5-нм микросхем способствуют росту производительности до 40% при фиксированной мощности. Поскольку коммерческий выпуск устройств с использованием 7-нм чипов намечен на 2019 год, новые чипсеты на техпроцессе 5 нм, вероятно, появятся не раньше 2021 года. А недавно мы писали о том, что компания Samsung готовится пойти еще дальше и освоить 4-нм техпроцесс уже к 2020 году.
