Новый модуль обеспечит смартфоны 8 ГБ оперативной памяти

В середине осени этого года корпорация Samsung представила первый в мире модуль оперативной памяти на 8 ГБ для смартфонов и планшетов. Недавно еще один южнокорейский производитель анонсировал мобильный чип ОЗУ в таком же объеме.

Новый модуль оперативной памяти от SK Hynix состоит из четырех 16-гигабитных DRAM-микросхем типа LPDDR4. Номинальная скорость передачи данных составляет 3 733 МГц, что ниже таковой у чипа от Samsung (4 266 МГц), но выше чем у стандартных компьютерных модулей (2 133 МГц). Таким образом, оперативная память от SK Hynix позволяет передавать данные на скорости до 29,8 Гб/с.

Чип выполнен по устаревшему 21-нанометровому техпроцессу, однако его преимуществом перед решением от Samsung является поддержка большинства устройств: смартфонов, планшетов, ноутбуков и даже ПК. Компания SK Hynix анонсировала два типа оперативной памяти. Один из них с номинальным напряжением 1,8 / 1,1 В уже готов к производству. Другая же версия, с более низким энергопотреблением и с напряжением 0,6 В, будет представлена в первом квартале 2017 года.

SK Hynix производит чипы и полупроводники для мировых корпораций, таких как Apple, IBM, ASUS, HP, Dell и прочих. Учитывая опыт компании, можно предположить, что она сможет поставлять новые чипы оперативной памяти для заказчиков в должном объеме. Ожидается, что первые смартфоны с ОЗУ на 8 ГБ появятся уже в следующем году.