Samsung представила модуль оперативной памяти на 8 ГБ для смартфонов и планшетов

Согласно утечкам, китайские компании готовят микросхему с 8 ГБ оперативной памяти для смартфонов уже довольно продолжительное время. Недавно Samsung официально анонсировала оперативную память типа LPDDR4 объемом в 8 ГБ, тем самым опередив всех конкурентов. Новый чип предназначен для смартфонов, планшетов, ультратонких ноутбуков и устройств виртуальной реальности.

Новая фирменная микросхема оперативной памяти включает в себя четыре 16-гигабитные чипы типа LPDDR4. Плата выполнена по технологии техпроцесса 10-нанометрового класса. Отмечается, что тип LPDDR4 работает вдвое быстрее, чем компьютерный «стандарт» DDR4 — 4 266 Мб/с против 2 133 Мб/с. Таким образом, новая оперативная память объемом 8 ГБ от Samsung позволяет передавать данные на скорости до 34 Гб/с.

Как заявляет сама компания, новый тип оперативной памяти нужен устройствам виртуальной реальности для работы с контентом в высоком разрешении (4К и выше). Samsung может установить новую микросхему в ближайший флагман Galaxy S8, однако это маловероятно. В 2014 году корейская компания представила оперативную память LPDDR4 на 4 ГБ, но последующий за ней флагман Samsung Galaxy S6 не получил инновационный чип.