В России выделено более 50 млрд рублей на создание центров микроэлектроники
Российское правительство выделило 54,5 млрд рублей на создание центров внедрения оборудования и материалов для микроэлектроники, о чём сообщает издание CNews.
Большая часть средств, а именно 50 млрд рублей, уйдёт на создание так называемого «Базового центра» площадью 9 тысяч квадратных метров. Специалисты данного центра будут задействованы в работе с микроэлектроникой, производимой по технологическим процессам 250-90 нанометров с пластинами толщиной 200 мм. Заработать центр должен уже в 2028 году.
Центр «Стартовый» будет создан на базе «Московского института электронной техники», а на его создание власти выделили 4,5 млрд рублей. Здесь, как и в «Базовом центре», будут работать с микроэлектроникой и силовыми установками, но по топологии более 180 нанометров (с пластинами толщиной 100-150 мм). Площадь производственной территории «Стартового» центра составит 3 тысячи квадратных метров.
Также в 2027 году должен появиться центр «СВЧ-электроники». Специалисты центра разместятся на площади 0,5 тысячи квадратных метров и займутся микроэлектроникой по топологии более 350 нанометров (с пластинами толщиной 100–150 мм).
