Вчера, 3 мая, компания Samsung Electronics официально анонсировала разработку флеш-памяти стандарта UFS 4.0 (Universal Flash Storage), которая предназначена в первую очередь для производительных смартфонов с поддержкой сотовой сети пятого поколения. Производитель заявил, что новейшая память может похвастаться достаточно высокой пропускной способностью и запредельными скоростями для обмена информацией. Например, специалисты из Samsung заявили, что память Samsung UFS 4.0 обеспечивает пропускную способность на уровне до 23,2 ГБ/сек на линию — это в два раза больше, чем возможности памяти стандарта UFS 3.1.
Более того, производитель заявил, что при создании новой флеш-памяти для флагманских смартфонов использовалась память Samsung V-NAND седьмого поколения, а также фирменный контроллер (о нём информации не предоставили). Благодаря этому удалось реализовать внушительные скорости обмена информацией — последовательное чтение до 4200 МБ/сек и последовательную запись до 2800 МБ/сек. В Samsung заявили о двукратном приросте скорости чтения и 1,6-кратном приросте скорости записи в сравнении с UFS 3.1 — это, безусловно, внушительный показатель, ведь даже предыдущее поколение памяти уже отлично справлялось с почти любыми задачами.
Но повышение скорости — не единственное улучшение, над которым работали инженеры Samsung. Дело в том, что новая память обладает ещё и весьма внушительной энергетической эффективностью, что будет крайне полезно будущим флагманам. Производитель отметил, что затраты энергии в сравнении с UFS 3.1 сократились на 46% — это должно заметно повлиять на длительность автономной работы смартфона. А ещё объём модуля памяти достигает 1 ТБ — это, безусловно, не рекорд для современного рынка, но памяти нового формата явно будет предостаточно, чтобы удовлетворить любые запросы аудитории.
Производство памяти UFS 4.0 должно стартовать в третьем квартале текущего года, когда память появится в смартфонах — не сообщают.
