Qualcomm анонсировала новый процессор для флагманских устройств — Snapdragon 835. К сожалению, компания не раскрыла характеристики чипа. Известно лишь то, что эта микросхема объединяет в себе новейшие технологии. Также отмечается, что Snapdragon 835 разработан совместно с Samsung.
Новый флагманский процессор производится корпорацией Samsung по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Согласно официальному сообщению, эта технология позволяет увеличить производительность на 27%, либо же снизить энергопотребление на 40% в сравнении с Qualcomm Snapdragon 821. Количество ядер, а также тактовая частота Snapdragon 835 указана не была. Скорее всего, детальная информация прояснится ближе к выходу устройств на базе этого чипа — к началу 2017 года.
Помимо всего прочего, Qualcomm Snapdragon 835 поддерживает новый фирменный стандарт быстрой зарядки — Qualcomm Quick Charge 4.0. По официальным данным, новое поколение на 20% быстрее и на 30% эффективнее предыдущего. Таким образом, смартфон можно будет «зарядить на 5 часов за 5 минут». Также стоит отметить, что QQC 4.0 поддерживает больший диапазон зарядных устройств типа USB Type-C. Разработчики уверяют, что «четвертый» стандарт еще сильнее защищен от перегрева во время зарядки. Еще одним изменением стала поддержка двух режимов зарядки: с напряжением и силой тока в 5 В / 4,7-5,6 А или в 9 В / 3 А соответственно.
-Разрабатывали вместе с Samsung...