Компания Infineon первой в мире смогла получить функциональные силовые чипы из карбида кремния (SiC), изготовленные на 300-миллиметровых пластинах. Разработку уже опробовали в условиях полноценного производства на заводе в австрийском Филлахе. При этом для нового процесса удалось использовать оборудование, которое изначально предназначалось для выпуска обычных кремниевых чипов.
Переход на пластины увеличенного диаметра позволит заметно повысить эффективность производства. По данным Infineon, с одной 300-миллиметровой пластины можно получать в 2,3 раза больше чипов, чем с нынешней 200-миллиметровой. Это должно помочь компании нарастить выпуск силовых полупроводников и обеспечить более стабильные поставки для автомобильной промышленности, энергетики и центров обработки данных с искусственным интеллектом.
Карбид кремния востребован благодаря низким потерям энергии и способности работать при высоких напряжениях и температурах. Такие чипы применяются в электромобилях, зарядных станциях, системах хранения энергии и промышленном оборудовании. В последнее время дополнительным источником спроса становятся дата-центры для ИИ.
Ещё одним достижением Infineon стала проверка технологии Cold Split на 300-миллиметровых пластинах SiC. Она позволяет отделять пластины от кристалла с меньшими потерями материала и получать больше заготовок из одного слитка. Компания пока не называет сроки перехода на массовое производство новой технологии и намерена согласовывать их с партнёрами и заказчиками. При этом Infineon продолжит развивать выпуск чипов на 200-миллиметровых пластинах.
