За стенами Российского технологического университета МИРЭА разработали полевой транзистор на основе алмаза. Как утверждают авторы проекта, новая отечественная разработка найдёт активное применение в космической отрасли и в отрасли ядерной энергетики. О самом же транзисторе рассказали в пресс-службе Минобрнауки РФ.
«Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики», — говорится в официальном заявлении пресс-службы.
Специалисты университета полагают — алмазный транзистор сможет показать повышенную на 10–15% производительность по сравнению с существующими аналогами.
«Ключевое преимущество — сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности», — отметил конструктор лаборатории «Алмазная СВЧ-электроника» Андрей Алтухов.
Транзисторы на основе алмаза смогут стать частью систем связи новейшего поколения. Они могут быть использованы в промышленной или медицинской электронике. Возможность же задействовать их в космической отрасли и отрасли ядерной энергетики появляется благодаря их стойкости к экстремальным условиям. Они легко «выживут» там, где не смогут сделать этого традиционные кремниевые элементы.
