Решения, предполагающие высокую производительность, пропускную способность и большую ёмкостью, помогают приблизить виртуальную реальность к настоящей реальности. Чтобы удовлетворить растущий рыночный спрос, компания Samsung разработала графическую память GDDR6W (x64). Это первая в отрасли технология DRAM нового поколения.
GDDR6W построена на базе GDDR6 (x32) за счёт внедрения технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая значительно увеличивает пропускную способность и ёмкость памяти. В июле прошлого года Samsung представила самую быструю в отрасли графическую память GDDR6 с пропускной способностью 24 Гбит/с. GDDR6W удваивает этот показатель, сохраняя прежние размеры. Благодаря этому новые микросхемы памяти можно легко внедрить в те же производственные процессы, в которых использовалась GDDR6.
Технология FOWLP предусматривает монтаж кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. Кроме того, отсутствие печатной платы уменьшает толщину подложки и улучшает рассеивание тепла. Высота микросхемы GDDR6W составляет 0,7 мм, это на 36% меньше, чем у GDDR6. Сокращаются время и затраты на производство, поскольку нет необходимости увеличивать размер платы — можно разместить вдвое больше микросхем памяти на той же площади. Ёмкость чипа возрастает с 16 до 32 ГБ, пропускная способность — до 1,4 ТБ/с, скорость передачи — до 22 Гбит/с на контакт.
В Samsung отметили, что благодаря GDDR6W есть возможность продвигать дифференцированные продукты памяти, которые могут удовлетворить различные потребности клиентов. Компания намерена расширить применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, к которым относятся ноутбуки, а также топовые графические ускорители, используемые для высокопроизводительных вычислений.
