Известный американский производитель компьютерных компонентов Intel посетил прошедшую в конце февраля конференцию International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2015 и рассказал о собственных планах по освоению 10-нанометрового технологического процесса, а также о новых исследованиях относительно того, как поддержание закона Мура позволит компании выйти на уровень 7 нанометров уже к 2017 году. Таким образом, двери для 7-нм откроются через два года.
Согласно предварительным данным, первые чипы, основанные на новом 10-нанометровом технологическом процессе от Intel появятся на рынке в конце следующего 2016/начале 2017 годов и компания сообщает, что надеется избежать задержек, которые преследовали Intel в процессе выхода на 14-нанометровый технологический процесс Broadwell. Чтобы достичь 7 нанометров, Intel заявляет, что будут использованы совершенно новые материалы. Кремнию для 10 нанометров будет положен конец, а на его смену придут, вероятнее всего, полупроводниковые вещества — например, индия-галлия арсенид (InGaAs), хотя Intel не предоставила каких-либо конкретных данных на этот счёт.
Как заявляют представители корпорации Intel, в будущем американский производитель намерен чётко сфокусироваться на выпуске изготовленных по 7-нанометровому технологическому процессу чипов. Такие процессорные решения будут потреблять значительно меньше электрической энергии — даже в процессе работы с использованием более высоких тактовых частот. Также напомним, что Samsung уже готова освоить невероятные 5 нанометров для мобильных устройств.
