Мобильные устройства в скором времени по скорости чтения и записи данных будут сопоставимы с современными ноутбуками, по крайней мере флагманские смартфоны компании Samsung так уж точно. Южнокорейский гигант приступил к массовому производству первого в отрасли чипа флеш-памяти объёмом 512 ГБ, который соответствует спецификациям UFS (eUFS) 3.0.
Samsung впервые представила память eUFS объёмом 512 ГБ ещё в 2017 году, но скорость последовательного чтения и записи тогда достигала 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно. Новое поколение памяти более, чем в два раза быстрее, достигая пиковых 2100 МБ/с и 410 МБ/с в режимах последовательного чтения и записи. Благодаря значительному увеличению числа операций случайного чтения и записи можно одновременно запускать несколько тяжёлых приложений, обеспечивая улучшенную скорость отклика, особенно на мобильных устройствах нового поколения.
Память eUFS 3.0 основана на V-NAND пятого поколения, она в 20 раз превышает скорость чтения обычной карты microSD и в 4 раза SSD-накопителя с интерфейсом SATA. Теоретически, пользователи смогут скопировать фильм в качестве Full HD с мобильного устройства на компьютер всего за три секунды. Такая невероятная скорость обмена данными придётся кстати в будущих смартфонах с большими экранами с высокими разрешениями.
В марте Samsung выпустит чипы памяти eUFS 3.0 объёмом 128 ГБ и 512 ГБ, а во второй половине года — модели объёмом 256 ГБ и 1 ТБ.
