Сегодня, 24 февраля, информационное издание «ТАСС» со ссылкой на пресс-службу Новосибирского государственного университета сообщило, что в России планируют создать уникальную в своём роде установку, которая, в теории, позволит преодолеть технологический порог оптической литографии в современной микроэлектронике. Запуск данной установки запланирован на 2026 год на базе Сибирского кольцевого источника фотонов (оно же «СКИФ»), расположенного под Новосибирском. Специалисты уверены, что данная разработка позволит создать технологию, необходимую для выпуска российских процессоров нового поколения.
«В НГУ учёные представили проектное видение создания отечественного опытного рентгеновского литографа „Орел-7”. Уникальную установку мирового уровня предлагается создать как элемент инфраструктуры СКИФ и использовать для преодоления принципиальных технологических ограничений передовой микроэлектроники. Ожидается, что реализация проекта позволит отечественной промышленности перескочить технологический предел в 28 нанометров и значительно продвинуться в направлении создания суверенной технологии производства массовых российских процессоров топ-уровня», — сообщили в пресс-службе НГУ.
Также специалисты университета сообщили, что на базе СКИФ в обозримом будущем планируется сформировать специальную рентгеновскую станцию, которая нужна для работы литографического оборудования нового типа. Суть в том, что рентгеновская литография предоставит возможность формировать сверхминиатюрные структуры, гарантируя высокое разрешение и при этом сохраняя производительность и дешевизну финальной продукции. Это очень важный этап на пути к более продвинутым технологическим процессам, ведь чем меньше значение в нанометрах, тем выше производительность и ниже энергопотребление конкретного чипа.
А чтобы ускорить разработку нового литографического оборудования, в Центре искусственного интеллекта НГУ планируют создавать так называемые «цифровые двойники» будущего промышленного оборудования. В результате, по словам Дмитрия Щеглова, заведующего лабораторией Института физики полупроводников СО РАН, российская микроэлектроника должна выйти далеко за пределы технологического процесса в 28 нанометров. К сожалению, пока что конкретных сроков по этому вопросу нет, но не может не радовать активная работа в данном направлении.
