В России разработали метод точного контроля при производстве микросхем по 10-нм техпроцессу
Специалисты Национального исследовательского университета Московского института электронной техники (НИУ МИЭТ) при содействии коллег Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН разработали перспективный метод для точного контроля при производстве микроэлектроники с использованием 10-нанометрового технологического процесса и ниже.
Новый метод может быть задействовать в производственном процессе по выпуску нового класса вакуумных нанотранзисторов и компактных электронных источников на основе многоострийных полупроводниковых катодов, позволяя максимально точность рассчитывать характеристики транзисторов с вакуумным зазором.
Проблема массового выпуска электроники ниже 10 нанометров заключается в том, что при уменьшении компонентов усиливается влияние на электронные элементы внешних воздействий. Это делает невозможным их применение, например, в космической отрасли.
«Это связано с высокой чувствительностью суб-10 нм полупроводниковых транзисторов к одиночным радиационным эффектам и эффектам смещения из-за воздействия космических лучей: наземный поток нейтронов на уровне моря может вызывать необратимые структурные дефекты кристаллической решетки. В результате происходит повреждение, обуславливающее изменение подвижности носителей заряда и сдвиг рабочих напряжений, что приводит к непредвиденным ошибкам и делает поведение микросхем непредсказуемым», — рассказал начальник Научно-исследовательской лаборатории «Моделирование и разработка устройств нано- микросистемной техники» НИУ МИЭТ Глеб Демин.
Вакуумный зазор повышает надёжность и скорость работы транзисторов. А новый метод, разработанный российскими специалистами, который позволяет точно рассчитывать параметры транзисторов с зазорами переводит задачу из теоретической плоскости в практическую.
Вакуумные нанотранзисторы, где для испускания электронов можно использовать плотный массив элементов, сложны в производстве, так как предсказание характеристик, является крайне сложной задачей. Специалисты НИУ МИЭТ своим открытием и намерены решить эту проблемы.
