Samsung Foundry уже несколько лет участвует в гонке чипов с тайваньской компанией TSMC. Эти два полупроводниковых гиганта почти всегда идут ноздря в ноздрю, периодически уступая друг другу в некоторых моментах. В прошлом году Samsung сообщила, что начнёт производить 3-нм чипы в середине 2022 года, а 5-нм — в 2025 году. В ответ на это TSMC обнародовала свой график производства 3-нм и 2-нм чипов.
Тайваньский полупроводниковый гигант заявил, что серийное производство первых чипов N3 (3 нм) стартует во второй половине 2022 года, на рынок они поступят в начале 2023 года. Более того, TSMC уже планирует начать производство 2-нм чипов (N2) в 2025 году, и в них будет использоваться технология кольцевого затвора GAA FET (Gate All Around Field-Effect Transistors). GAA FET считается следующим этапом эволюции техпроцесса по сравнению с finFET. Такое производство обходится дороже, поэтому крупнейшие игроки в этой отрасли не спешат пока переходить на него, но активно ведут разработку.
TSMC отстаёт от Samsung в разработке GAA FET. Южнокорейская компания уже заявила о внедрении новой технологии в 3-нм чипы в конце текущего года, что должно существенно улучшить их энергоэффективность. TSMC в свою очередь пытается компенсировать отставание агрессивной стратегией по выпуску 3-нм чипов FinFET. Компания намерена задействовать в общей сложности пять 3-нм техпроцессов: N3, N3E, N3P, N3S и N3X. Каждый из них обеспечивает более высокую производительность, плотность размещения транзисторов и энергоэффективность.
Также стоит отметить, что у TSMC есть козырь в виде секретной технологии FinFlex, которая помогает разработчикам микросхем точно размещать свои строительные блоки для оптимизации производительности. Насколько она эффективна, покажет время. В любом случае, многие мировые бренды, использующие контрактное производство (Apple, AMD, Qualcomm, NVIDIA, MediaTek) в ближайшие годы будут использовать передовые техпроцессы как TSMC, так и Samsung.
