Компания Samsung активно встраивает новые технологии в свои устройства. Многие инновационные компоненты для своих устройств корейцы производят на своих заводах и одной из таких комплектующих станет память типа NAND нового поколения, которая уже «штампуется».
Новые чипы памяти обладает емкостью в 128 гигабит и выполнены по технологии ячеек с большим количеством уровней под названием 3bit Multi-Level-Cell или MLC. Микросхемы производятся по 10-нанометровому техническому процессу. NAND-память нового поколения использует интерфейс передачи данных Toggle DDR2, который обеспечивает пропускную способность 400 МБит/с, что в несколько раз выше, чем все остальные текущие типы интерфейсов, использующихся в микросхемах памяти.
Новые микросхемы будут использоваться в устройствах нового поколения с жесткими дисками и SSD емкостью от 500 Гб, а также в картах памяти большой вместимости до 128 Гб. Ожидается, что новая NAND-память будет использоваться в новых ноутбуках и ультрабуках компании Samsung.
