Компания Samsung объявила о завершении квалификации 8-нанометровой технологии FinFET 8LPP (Low Power Plus) и ее готовности к массовому производству. Новый техпроцесс разработан для флагманских мобильных платформ, серверов и криптовалюты. Он будет являться самой передовой технологией производства компании до перехода на экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV) на основе 7 нм, который запланирован на 2018 год.
Как заявляет южнокорейский технологический гигант, новая технология FinFET 8LPP потребляет на 10% меньше энергии и использует на 10% меньше места. Она представляет из себя модернизированную версию текущего 10-нм процесса, который используется для сборки чипов Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Вице-президент компании по маркетингу полупроводникового бизнеса Райан Ли (Ryan Lee) сообщил, что Samsung смогла завершить процесс оценки 8 нм на три месяца раньше своего графика и поэтому уже приступила к производству.
Ожидается, что первые чипы, произведенные по новому 8-нм техпроцессу FinFET 8LPP, появятся в 2018 году. Кто будет заказчиком технологии неизвестно, поскольку ходят слухи о заключении сделки о сотрудничестве между Qualcomm и TSMC. Последняя, в свою очередь, также ответственна за последние процессоры Apple — A9, A10 и актуальный A11 Bionic.
Напомним, через 2 года компания Samsung планирует перейти на следующее поколение полупроводников — 6 нм и 5 нм. К 2020 году производитель намерен полностью освоить 4-нанометровую технологию — рекордный в отрасли техпроцесс.
