adblock check

Дан старт массовому производству первого 20-нм чипа мобильной памяти Samsung

Компания Samsung, мировой лидер в области передовых технологий, официально объявила сегодня, что дан старт массовому производству 6-гигабитных модулей памяти с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных (LPDDR3), выполненных по технологическому процессу 20 нанометров. Высокоэффективный новый чип мобильной памяти позволит более адекватно использовать ресурсы, автономность возрастет, а загрузка приложений на большом экране мобильных устройств с высоким разрешением дисплея станет значительно быстрее.

«Наш новый 20-нанометровый 6-гигабитный чип LPDDR3 DRAM предоставляет самые передовые решения мобильной памяти для быстро развивающейся высокопроизводительной мобильной DRAM на рынке» — сказал Джихо Пэк, вице-президент по маркетингу памяти Samsung Electronics. «Мы тесно сотрудничаем с нашими глобальными клиентами, чтобы предложить решения мобильной памяти нового поколения, которые могут быть применены к более широкому спектру рынков, начиная от премиум до стандартных сегментов»

Новый мобильный чип памяти компании Samsung емкостью 6 Гб имеет скорость до 2133 мегабит в секунду в расчете на один вывод . «Пакет» LPDDR3 3 Гб (гигабайт), который состоит из четырех чипов LPDDR3 6 Гб (гигабит), может быть легко использован для широкого диапазона мобильных устройств. Кроме того, данный пакет значительно усилит портфель продуктов Samsung для премиальных мобильных приложений.

Дан старт массовому производству первого 20-нм чипа мобильной памяти Samsung

Новый чип на 20% меньше и потребляет на приблизительно 10% меньше энергии, чем имеющиеся в настоящее время разработки, изготовленные Samsung с использованием более низкого технологического процесса. Подобные технологии приводят к мобильной памяти, которая является невероятно маленькой, невероятно тонкой, молниеносно быстрой и существенно энергоэффективной.

Новый технологический процесс 20 нанометров, используемый компанией Samsung, также приносит свои плоды в виде роста производительности на 30% по сравнению с техпроцессом низшего уровня. Samsung впервые применила 20-нанометровую технологию на микросхемах DDR3 емкостью 4 Гб для персональных компьютеров в марте текущего года.

В будущем южнокорейский производитель электроники Samsung будет продолжать внедрять более совершенные 20-нанометровые чипы мобильной памяти в фирменные продукты и тем самым продолжать укреплять свою позицию на рынке DRAM. Кроме того, рынок с каждым днем насыщается в невероятных масштабах более функционально нагруженными флагманскими смартфонами, планшетами и носимыми устройствами, поэтому логичным шагом со стороны Samsung является идти в ногу с развитием технологий.

IvS IvS
Администратор ⭑
1 комментарий
Оставьте комментарий...
Оставьте комментарий...
Ovm69 9 лет
Как раз под флагман 2015 года.