Более двух лет назад технология быстрой зарядки стала одной из стратегических задач Xiaomi. С тех пор компания построила четыре крупных R&D-центра и создала отдельное подразделение, отвечающее за это направление. За прошедшее время китайский промышленный гигант оснастил сотни миллионов своих устройств системами быстрой зарядки и подал заявку на получение более 800 патентов. На определённом этапе компания поняла, что просто гнаться за показателями мощности бессмысленно и нужно придумать что-то другое. Именно поэтому Xiaomi разработала свой первый чип Surge P1, отвечающий за питание и зарядку мобильного устройства. На его разработку ушло 18 месяцев и 15,5 млн долларов.
Ключевая особенность Surge P1 заключается в том, что он обеспечивает зарядку мощностью 120 Вт для одного элемента питания, тогда как существующая технология сверхбыстрой зарядки предполагает использование двух элементов питания ёмкостью 2000-3000 мА·ч. Это позволяет сэкономить место внутри корпуса смартфона и сделать его тоньше. Чип имеет интеллектуальную систему регулировки температурного режима, с помощью которой он управляет разными типами нагрузок и обеспечивает безопасную работу гаджета.
Surge P1 также является первым в отрасли чипом для беспроводной зарядки с эффективностью 97,5%. При подключении устройства к источнику питания по проводу эффективность зарядки достигает 96,8%, а тепловые потери снижаются на 30%. Контроллер поддерживает в общей сложности 15 режимов, включая сверхбыструю реверсивную зарядку.
Xiaomi заявила, что грядущий флагман Mi 12 Pro первым получит чип Surge P1.Смартфон будет поддерживать проводную зарядку на 120 Вт, беспроводную зарядку на 50 Вт и реверсивную беспроводную зарядку мощностью 10 Вт.
