Во время конференции IEDM в Сан-Франциско компании IBM и Samsung Electronics объявили о создании технологии вертикального расположения транзисторов под названием VTFET. В отличие от существующих технологий, которые предусматривают горизонтальное размещение транзисторов, новая разработка подразумевает конструкцию чипов, в которой транзисторы располагаются перпендикулярно поверхности кристалла, а ток проходит вертикально. Компании ожидают, что VTFET удвоит производительность микросхем или снизит энергопотребление на 85% по сравнению с FinFET.
Представители IBM и Samsung заявили, что смартфоны и другие портативные устройства, созданные на базе VTFET-процессоров, смогут работать без подзарядки целую неделю. Новая технология найдёт применение и в майнинге криптовалют — такие задачи станут чрезвычайно энергоэффективными, что приведёт к меньшему воздействию на окружающую среду. Кроме того, VTFET позволит обойти закон Мура и в теории преодолеть барьер в 1 нм.
IBM и Samsung не назвали сроков появления новых чипов на основе технологии VTFET. Тем временем над аналогичными микросхемами работает и компания Intel, которая планирует вывести на рынок процессоры Intel 20A к концу 2024 года.
