Компания Samsung объявила о планах по увеличению объёмов производства флеш-памяти NAND. Она инвестирует крупную сумму в расширении линии №2 на своём заводе в городе Пхёнтэке, провинция Кёнгидо, Южная Корея.
Сообщается, что строительство нового объекта началось в прошлом месяце, а окончание работ намечено на 2021 год. Samsung планирует начать массовое производство накопителей V-NAND на новой линии со второй половины 2021 года. Производитель уверен, что в ближайшем будущем спрос на чипы памяти заметно увеличится, благодаря развёртыванию сетей 5G и внедрению технологий искусственного интеллекта и IoT (Интернет вещей).
По оценкам аналитиков, на строительство нового объекта Samsung потратит от 7 до 8 триллионов вон (около 5,7-6,5 миллиардов долларов). Это будет современная производственная линия, отвечающая всем требованиям к производству NAND-памяти. Но на этом Samsung останавливаться не станет, и будет продолжать увеличивать объём инвестиций в этом направление по мере развития цифровых технологий.
Стоит отметить, что Samsung является лидером в сегменте чипов памяти на протяжении последних 18 лет. Недавно она представила первую в мире 160-слойную флеш-память V-NAND. И Samsung обещает и впредь выпускать самые оптимизированные решения, которые способствуют росту всей IT-индустрии в целом.
